Zgjedhja e pajisjes MOSFET për të marrë në konsideratë të gjitha aspektet e faktorëve, nga të voglat deri te ato të tipit N ose P, lloji i paketës, tensioni i madh deri te MOSFET, rezistenca në lidhje, etj., kërkesat e ndryshme të aplikimit ndryshojnë.Artikulli vijues përmbledh zgjedhjen e pajisjes MOSFET të 3 rregullave kryesore, besoj se pas leximit do të keni shumë.
1. Hapi i parë i zgjedhjes së MOSFET-it të fuqisë: tub P, apo N-tube?
Ekzistojnë dy lloje të MOSFET-ve me fuqi: N-channel dhe P-channel, në procesin e dizajnimit të sistemit për të zgjedhur tubin N ose P-tubin, për aplikacionin aktual specifik për të zgjedhur, MOSFET me kanal N për të zgjedhur modelin, çmim i ulët;MOSFET me kanal P për të zgjedhur modelin më pak, me kosto të lartë.
Nëse voltazhi në lidhjen S-pol të MOSFET-it të fuqisë nuk është toka referuese e sistemit, kanali N kërkon një ngasje të furnizimit me energji tokësore lundruese, një makinë transformatori ose një makinë bootstrap, një kompleks qarku të ngasjes;Kanali P mund të drejtohet drejtpërdrejt, me makinë të thjeshtë.
Nevoja për të marrë në konsideratë N-channel dhe P-channel aplikacionet janë kryesisht
a.Kompjuterët fletore, desktopët dhe serverët e përdorur për të dhënë CPU-në dhe ventilatorin e ftohjes së sistemit, sistemin e furnizimit të printerit nga motori, fshesat me korrent, pastruesit e ajrit, ventilatorët elektrikë dhe pajisjet e tjera shtëpiake qarkun e kontrollit të motorit, këto sisteme përdorin strukturën e qarkut me urë të plotë, çdo krah urë në tub mund të përdorni P-tub, mund të përdorni edhe N-tub.
b.Sistemi i komunikimit Sistemi i hyrjes 48V i MOSFET-ve me prizë të nxehtë të vendosur në skajin e lartë, mund të përdorni tuba P, mund të përdorni edhe tuba N.
c.Qarku i hyrjes së kompjuterit fletore në seri, luan rolin e lidhjes kundër kundërt dhe ndërrimit të ngarkesës me dy MOSFET me fuqi të njëpasnjëshme, përdorimi i kanalit N duhet të kontrollojë pompën e ngarkimit të integruar të çipit të brendshëm, përdorimin e kanalit P mund të drejtohet drejtpërdrejt.
2. Zgjedhja e llojit të paketimit
Fuqia MOSFET kanal lloji për të përcaktuar hapin e dytë për të përcaktuar paketën, parimet e përzgjedhjes së paketës janë.
a.Rritja e temperaturës dhe dizajni termik janë kërkesat më themelore për zgjedhjen e paketimit
Madhësitë e ndryshme të paketimit kanë rezistencë të ndryshme termike dhe shpërndarje të energjisë, përveç që marrin parasysh kushtet termike të sistemit dhe temperaturën e ambientit, si p.sh. nëse ka ftohje të ajrit, kufizime në formën dhe madhësinë e ftohësit, nëse mjedisi është i mbyllur dhe faktorë të tjerë, Parimi bazë është sigurimi i rritjes së temperaturës së fuqisë MOSFET dhe efikasitetit të sistemit, premisa e zgjedhjes së parametrave dhe paketimit më të përgjithshëm të fuqisë MOSFET.
Ndonjëherë për shkak të kushteve të tjera, nevoja për të përdorur MOSFET të shumëfishta paralelisht për të zgjidhur problemin e shpërndarjes së nxehtësisë, si p.sh. në aplikacionet PFC, kontrollorët e motorëve të automjeteve elektrike, sistemet e komunikimit, të tilla si aplikacionet e korrigjimit sinkron sekondar të furnizimit me energji të modulit, zgjidhen në paralel me tuba të shumtë.
Nëse lidhja paralele me shumë tuba nuk mund të përdoret, përveç zgjedhjes së një MOSFET me fuqi me performancë më të mirë, mund të përdoret gjithashtu një paketë me madhësi më të madhe ose një lloj pakete e re, për shembull, në disa furnizime me energji AC/DC TO220 do të të ndryshohet në paketën TO247;në disa furnizime me energji të sistemit të komunikimit, përdoret paketa e re DFN8*8.
b.Kufizimi i madhësisë së sistemit
Disa sisteme elektronike janë të kufizuara nga madhësia e PCB-së dhe lartësia e brendshme, të tilla si moduli i furnizimit me energji elektrike të sistemeve të komunikimit për shkak të lartësisë së kufizimeve zakonisht përdorin paketën DFN5 * 6, DFN3 * 3;Në disa furnizimin me energji ACDC, përdorimi i dizajnit ultra të hollë ose për shkak të kufizimeve të guaskës, montimi TO220 paketë fuqia MOSFET kunjat direkt në rrënjë, lartësia e kufizimeve nuk mund të përdorni paketën TO247.
Disa dizajne ultra të hollë përkulin drejtpërdrejt kunjat e pajisjes, ky proces prodhimi i dizajnit do të bëhet kompleks.
Në hartimin e tabelës mbrojtëse të baterive litium me kapacitet të madh, për shkak të kufizimeve jashtëzakonisht të ashpra të madhësisë, shumica tani përdorin paketën CSP të nivelit të çipit për të përmirësuar performancën termike sa më shumë që të jetë e mundur, duke siguruar përmasat më të vogla.
c.Kontrollit të shpenzimeve
Në fillim të shumë sistemeve elektronike duke përdorur paketën plug-in, këto vite për shkak të rritjes së kostove të punës, shumë kompani filluan të kalojnë në paketën SMD, megjithëse kostoja e saldimit të SMD sesa plug-in e lartë, por shkalla e lartë e automatizimit të saldimit SMD, kostoja e përgjithshme ende mund të kontrollohet në një gamë të arsyeshme.Në disa aplikacione të tilla si pllakat amë për desktop dhe bordet që janë jashtëzakonisht të ndjeshme ndaj kostos, MOSFET-et e fuqisë në paketat DPAK zakonisht përdoren për shkak të kostos së ulët të kësaj pakete.
Prandaj, në zgjedhjen e paketës së fuqisë MOSFET, për të kombinuar stilin e kompanisë së tyre dhe karakteristikat e produktit, duke marrë parasysh faktorët e mësipërm.
3. Zgjidhni rezistencën në gjendje RDSON, vini re: jo aktuale
Shumë herë inxhinierët shqetësohen për RDSON, sepse RDSON dhe humbja e përçueshmërisë janë të lidhura drejtpërdrejt, sa më i vogël të jetë RDSON, aq më i vogël është humbja e përçueshmërisë së fuqisë MOSFET, aq më i lartë efikasiteti, aq më i ulët është rritja e temperaturës.
Në mënyrë të ngjashme, inxhinierët për aq sa është e mundur të ndjekin projektin e mëparshëm ose komponentët ekzistues në bibliotekën e materialeve, për RDSON të metodës së përzgjedhjes reale nuk kanë shumë për të marrë parasysh.Kur rritja e temperaturës së fuqisë së zgjedhur MOSFET është shumë e ulët, për arsye kostoje, do të kalojë në komponentë më të mëdhenj RDSON;kur rritja e temperaturës së fuqisë MOSFET është shumë e lartë, efikasiteti i sistemit është i ulët, do të kalojë në komponentë më të vegjël RDSON, ose duke optimizuar qarkun e jashtëm të makinës, do të përmirësojë mënyrën e rregullimit të shpërndarjes së nxehtësisë, etj.
Nëse është një projekt krejt i ri, nuk ka asnjë projekt të mëparshëm për të ndjekur, atëherë si të zgjidhni MOSFET RDSON të energjisë elektrike? Këtu është një metodë për t'ju prezantuar: metoda e shpërndarjes së konsumit të energjisë.
Gjatë projektimit të një sistemi të furnizimit me energji, kushtet e njohura janë: diapazoni i tensionit të hyrjes, tensioni i daljes / rryma e daljes, efikasiteti, frekuenca e funksionimit, voltazhi i lëvizjes, natyrisht, ka tregues të tjerë teknikë dhe MOSFET të fuqisë që lidhen kryesisht me këto parametra.Hapat janë si më poshtë.
a.Sipas diapazonit të tensionit të hyrjes, tensionit të daljes / rrymës së daljes, efikasitetit, llogaritni humbjen maksimale të sistemit.
b.Humbjet e rreme të qarkut të energjisë, humbjet statike të komponentëve të qarkut jo-energjetik, humbjet statike të IC dhe humbjet e makinës, për të bërë një vlerësim të përafërt, vlera empirike mund të përbëjë 10% deri në 15% të humbjeve totale.
Nëse qarku i rrymës ka një rezistencë të marrjes së mostrave të rrymës, llogaritni konsumin e energjisë së rezistencës aktuale të kampionimit.Humbja totale minus këto humbje të mësipërme, pjesa e mbetur është humbja e fuqisë së pajisjes, transformatorit ose induktorit.
Humbja e mbetur e fuqisë do t'i ndahet pajisjes së energjisë dhe transformatorit ose induktorit në një proporcion të caktuar, dhe nëse nuk jeni të sigurt, shpërndarja mesatare sipas numrit të komponentëve, në mënyrë që të merrni humbjen e fuqisë së secilit MOSFET.
c.Humbja e fuqisë së MOSFET-it i ndahet humbjes së komutimit dhe humbjes së përcjelljes në një proporcion të caktuar, dhe nëse është e pasigurt, humbja e kalimit dhe humbja e përcjelljes shpërndahen në mënyrë të barabartë.
d.Me humbjen e përçueshmërisë MOSFET dhe rrjedhjen e rrymës RMS, llogaritni rezistencën maksimale të lejueshme të përçueshmërisë, kjo rezistencë është MOSFET në temperaturën maksimale të kryqëzimit të funksionimit RDSON.
Fleta e të dhënave në fuqinë MOSFET RDSON e shënuar me kushte të përcaktuara testimi, në kushte të ndryshme të përcaktuara kanë vlera të ndryshme, temperatura e provës: TJ = 25 ℃, RDSON ka një koeficient pozitiv të temperaturës, kështu që sipas temperaturës më të lartë të kryqëzimit operativ të MOSFET dhe Koeficienti i temperaturës RDSON, nga vlera e llogaritur e mësipërme RDSON, për të marrë RDSON përkatës në temperaturën 25 ℃.
e.RDSON nga 25 ℃ për të zgjedhur llojin e duhur të fuqisë MOSFET, sipas parametrave aktualë të MOSFET RDSON, poshtë ose lart.
Nëpërmjet hapave të mësipërm, zgjedhja paraprake e modelit të fuqisë MOSFET dhe parametrave RDSON.
Ky artikull është shkëputur nga rrjeti, ju lutemi na kontaktoni për të fshirë shkeljen, faleminderit!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. ka prodhuar dhe eksportuar makineri të ndryshme të vogla që nga viti 2010. Duke përfituar nga Kërkimi dhe Zhvillimi ynë i pasur me përvojë, prodhimi i trajnuar mirë, NeoDen fiton reputacion të madh nga klientët në mbarë botën.
Me praninë globale në mbi 130 vende, performanca e shkëlqyer, saktësia e lartë dhe besueshmëria e makinerive NeoDen PNP i bëjnë ato perfekte për R&D, prototipe profesionale dhe prodhim të grupeve të vogla dhe të mesme.Ne ofrojmë zgjidhje profesionale të pajisjeve SMT me një ndalesë.
Shtoni: Nr.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Province Zhejiang, Kinë
Telefoni: 86-571-26266266
Koha e postimit: Prill-19-2022