Rryma e kundërt është kur voltazhi në dalje të një sistemi është më i lartë se voltazhi në hyrje, duke bërë që rryma të rrjedhë nëpër sistem në drejtim të kundërt.
Burimet:
1. dioda e trupit bëhet e njëanshme përpara kur MOSFET përdoret për aplikime të ndërrimit të ngarkesës.
2. një rënie e papritur e tensionit të hyrjes kur furnizimi me energji elektrike është shkëputur nga sistemi.
Rastet kur duhet të merren parasysh bllokimi i rrymës së kundërt:
1. kur furnizimi i shumëfishtë i energjisë është i kontrolluar nga MOS
2. Kontrolli ORing.ORing është i ngjashëm me multipleksimin e fuqisë, me përjashtim të faktit se në vend të zgjedhjes së një furnizimi me energji elektrike për të fuqizuar sistemin, voltazhi më i lartë përdoret gjithmonë për të fuqizuar sistemin.
3. Rënia e ngadaltë e tensionit gjatë humbjes së fuqisë, veçanërisht kur kapaciteti i daljes është shumë më i madh se kapaciteti i hyrjes.
Rreziqet:
1. Rryma e kundërt mund të dëmtojë qarkun e brendshëm dhe furnizimin me energji elektrike
2. Kulmet e rrymës së kundërt mund të dëmtojnë gjithashtu kabllot dhe lidhësit
3. dioda e trupit të MOS rritet në konsumin e energjisë dhe madje mund të dëmtohet
Metodat e optimizimit:
1. Përdorni dioda
Diodat, veçanërisht diodat Schottky, mbrohen natyrshëm nga rryma e kundërt dhe polariteti i kundërt, por ato janë të kushtueshme, kanë rryma të larta rrjedhjeje të kundërt dhe kërkojnë shpërndarje të nxehtësisë.
2. Përdorni MOS back-to-back
Të dy drejtimet mund të bllokohen, por zë një zonë të madhe bordi, rezistencë të lartë përçueshmërie, kosto të lartë.
Në figurën e mëposhtme, përçueshmëria e transistorit të kontrollit, kolektori i tij është i ulët, përçueshmëria e dy PMOS, kur transistori fiket, nëse dalja është më e lartë se hyrja, ana e djathtë e përcjelljes së diodës së trupit MOS, në mënyrë që niveli D të jetë i lartë, duke bërë që niveli G të jetë i lartë, ana e majtë e diodës së trupit MOS nuk kalon, dhe në të njëjtën kohë, për shkak të MOS-it të VSG për trupin, rënia e tensionit të diodës nuk është deri në tensionin e pragut, kështu që dy MOS u mbyllën, gjë që bllokoi daljen në rrymën hyrëse.Kjo bllokon rrymën nga dalja në hyrje.
3. Reverse MOS
Reverse MOS mund të bllokojë daljen në hyrjen e rrymës së kundërt, por disavantazhi është se ekziston gjithmonë një rrugë e diodës së trupit nga hyrja në dalje, dhe jo mjaftueshëm e zgjuar, kur dalja është më e madhe se hyrja, nuk mund të kthehet jashtë MOS, por gjithashtu duhet të shtoni një qark krahasimi të tensionit, kështu që ekziston një diodë ideale e mëvonshme.
4. Ndërprerësi i ngarkesës
5. Multipleksimi
Multipleksimi: zgjedhja e një prej dy ose më shumë furnizimeve hyrëse ndërmjet tyre për të fuqizuar një dalje të vetme.
6. Diodë ideale
Ekzistojnë dy qëllime në formimin e një diode ideale, njëri është të simulojë një Schottky dhe tjetri është që duhet të ketë një qark krahasimi hyrje-dalje për ta fikur atë në të kundërt.
Koha e postimit: Gusht-10-2023